一种单片机电路中双向可控硅打火案例分析

  可控硅器件是一种较为常见的半导体器件，其被大面积应用在电视、空调、冰箱、电灯等家电领域。因此在可控硅的应用过程中总会遇到这一种或者那样的问题。由可控硅引起的电路及器件烧毁就是这样一种普遍的问题，本文就将结合实例，为我们讲述解答一种

  如图1所示，直流24V是半波整理后阻容降压所致，之后HT7533转换3V给单片机来控制可控硅和继电器。单片机控制信号先打开可控硅6ms，之后再打开继电器。那么问题来了，当可控硅不焊接时，单片机控制继电器正常，但连接MAC97A后，单片机接通可控硅后电路打火，单片机和后端的24V转3V的LDO烧毁，为何会这样呢?

  如果在电路中需要用可控硅，就需要用MOC3022之类光耦隔离控制，要求阻容降压电源正极和交流电源线接在共线上。 反观案例中的原理图和PCB，能够正常的看到可控硅的G和T2之间电压很小，可控硅在焊接之后就将220v引入，因此打火的情况是必然的。

  此外不是只在G接控制即可，G的控制是相对于T2的，但T2已达到了220v，烧毁是必然的。这里多说一句，有的设计者很有想法，这样的方式能够让继电器接通时有抖动，能够尽可能的防止继电器抖动带来的危害，因为在继电器接通时，可控硅已经打通。

  有时间的朋友能试试使用过0触发的MOC3041/61/83之类来隔离驱动案例中的可控硅，可能连过0检测都不需要了。

  通过分析，能够正常的看到本例中双向可控硅烧毁的问题是由设计和接通错误造成的。正在学习可控硅相关知识的朋友可以仔细阅读本文，相信一定能从文中找到一些有用的解决办法或知识点。